招標公告
1. 招標條件
本招標項目0.13um SiGe BiCMOS工藝PDK開發 該項目已具備招標條件，現對0.13um SiGe BiCMOS工藝PDK開發 進行國內公開招標。2. 項目概況與招標范圍
2.1 招標編號：ZKX20250429A011 2.2 招標項目名稱：0.13um SiGe BiCMOS工藝PDK開發 。 2.3 數量：1套。 2.4 服務主要內容： 1）BB器件和RF器件建模測試（支持Manual測試）； 2）提供V0.5 BB和RF Model，其中BB Model包括CMOS、LDMOS、Diode、BJT、HBT、Resistor、Capacitor，RF Model包括MOSFET、Capacitor、Resistor、Inductor、HBT、Interconnection。 3）提供V1.0 BB和RF Model（包含Statistical和Mismatch model），其中BB Model包括CMOS、LDMOS、Diode、BJT、HBT、Resistor、Capacitor，RF Model包括MOSFET、Capacitor、Resistor、Inductor、HBT、Interconnection。 4）提供V0.5和V1.0 PDK，包含PCell、DRC、LVS、PEX和環境設置，其中物理驗證規則包含ERC且必須支持Calibre工具。 2.5 服務3. 投標人資格要求
3.1投標人須為具有獨立承擔民事責任能力的在中華人民共和國境內注冊的法人或其他組織，具備有效的營業執照或事業單位法人證書或其它營業登記證書。 3.2業績要求：投標人至少完成3套國內半導體廠商的0.13um及以下Logic Model&PDK交付合同。 注：須提供合同復印件，其內容須體現甲乙雙方簽字或蓋章頁、合同簽訂時間、合同標的物名稱等主要內容（如有必要需提供相應技術附件）。未按上述要求提供的業績不予認可。 3.3 其它要求：/。 3.4本次招標不接受聯合體投標。 3.5投標人必須向招標代理機構4.
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編輯：365trade